MWC : 300 Mo/s pour la mémoire interne des smartphones

Sandisk, au MWC, a présenté sa nouvelle mémoire iNAND. Il s'agit d'une mémoire eMMC, destinée à être placée dans les smartphones et autres tablettes, et elle a un avantage : elle peut atteindre 300 Mo/s.

Une mémoire eMMC 5.0

La mémoire iNANDLa nouvelle mémoire utilise l'interface eMMC 5.0, annoncée en novembre 2013 et intégrée dans le Snapdragon 801 de Qualcomm, annoncé aussi au MWC. L'interface elle-même permet d'atteindre 400 Mo/s, et la nouvelle mémoire de Sandisk monte à 300 Mo/s en lecture, ce qui est très impressionnant. En écriture, les valeurs sont plus faibles, mais correctes : 40 Mo/s sur une puce de 16 Go et 80 Mo/s sur les puces de 32 et 64 Go. Bonne nouvelle, les performances sur des accès aléatoires sont bonnes : 6 000 IOPS en lecture et 3 000 IOPS en écriture. Face à un SSD de PC, c'est faible, mais face aux mémoires eMMC classiques qui dépassent difficilement un disque dur, c'est plutôt rapide.

Avoir une mémoire interne rapide est intéressant sur plusieurs points. D'abord, pour transférer des données vers (ou depuis) un ordinateur : avec une interface USB 3.0 qui se généralise, le gain est intéressant. Ensuite, pour les usages classiques d'un smartphone : enregistrement de vidéo (avec l'arrivée de la 4K), téléchargement avec des technologies de plus en plus rapides, etc.

Reste bien évidemment à vérifier si cette mémoire sera utilisée avec une interface assez rapide (beaucoup de SoC sont en eMMC 4.x, qui limite les débits) et si les autres composants seront capables de suivre la cadence... Malgré tout, cette mémoire se place au niveau des premiers SSD pour PC, apparus en 2008 à des prix astronomiques.