Toshiba et SanDisk ont annoncé l’ouverture de l’usine Fab 5 utilisant des wafers de 300 mm. Elle sera destinée à la fabrication de NAND gravées en 24 nm. Sa construction a demandé un an, la production vient de démarrer et les premières puces devraient être livrées au mois d’août. L’usine sera plus tard mise à jour pour graver en 19 nm, selon le communiqué.
La Fab 5 est située dans la préfecture de Mie au Japon. Les deux compagnies affirment que l’usine intègre de nouvelles mesurer pour lutter contre les tremblements de terre. Elle devrait aussi consommer 12 % de CO2 de moins que la Fab 4 grâce à l’utilisation de LED et de nombreuses mesures d’économie d’énergie. La Fab 5 a une surface de 187 000 m2 répartie sur cinq étages.
La construction de la Fab 5 fut initialement retardée en raison de la crise financière de 2009, mais une fois que les travaux ont commencé, les calendriers ont été respectés. L’usine devrait sortir 210 000 wafers par mois. Pour la gérer, Toshiba et SanDisk ont créé la coentreprise Flash Foward détenue majoritairement par le premier (50,1 %), le reste des actions appartenant au second.