A l'occasion d'une conférence, une ingénieure de RIM (le fabricant des Blackberry) a évoqué les problèmes de fiabilité de la mémoire Flash, et confirme ce que nous craignions : plus la capacité des puces augmente, plus leur fiabilité diminue. Au point de ne plus être suffisante...
Karin Werder, directrice du département développement mémoire chez RIM, a souligné que depuis plusieurs années, les besoins en stockage des smartphones n'ont fait qu'augmenter. Comme il n'est pas possible, faute de place, de multiplier le nombre de puces de mémoire embarquées, les fabricants doivent utiliser des puces de plus en plus denses. Cette augmentation de la densité se fait classiquement par la réduction de la taille des transistors et par le recours à des mémoires de type MLC, stockant plusieurs bits d'informations dans une même cellule.
Malheureusement, conjugués, ces deux phénomènes sont désastreux pour la fiabilité, autrement dit pour la stabilité dans le temps des données stockées. Werder a communiqué des chiffres que les fabricants de mémoire Flash sont peu enclins à rendre publics : les puces MLC 2-bits gravées en #8776;50 nm ont la capacité de résister à 10000 cycles d'effacement/écriture, celles gravées en #8776;30 nm résistent à 5000 cycles, et les plus récentes gravées à #8776;20 nm lâchent après 3000 cycles. Pire encore, les MLC 3-bits ne tiennent que 1000 cycles ! Pour Werder, ces puces ne sont tout simplement pas assez pérennes pour être intégrées dans un smartphone censé être renouvelé au bout de deux ans en moyenne. Elles seront réservées aux clés USB et autres cartes mémoires d'entrée de gamme.
Ces chiffres sont inquiétants. Ils montrent une tendance à la division par deux de la longévité des puces à chaque progression dans la finesse de gravure. On comprend mieux pourquoi ni Samsung, ni Toshiba, ni Micron n'ont annoncé des puces de NAND Flash gravées plus fin que 20 nm.
Mais alors serait-ce la fin de la mémoire Flash ? Non, certes, car elle n'a toujours pas de remplaçante, mais il va falloir s'habituer à ne plus voir les capacités de stockage s'envoler comme elles l'ont fait ces précédentes années. A moins, que les chercheurs des grands producteurs trouvent une solution. D'ailleurs, Intel Micron Flash Technologies produit déjà de la mémoire MLC "entreprise" gravée en 34 nm mais résistant à 30 000 cycles d'effacement/écriture.