Samsung a développé la première DRAM DDR5 gravée en 12 nm
Publié le 22/12/2022 - Source : Tom's Hardware
Samsung Electronics annonce avoir développé des puces DRAM DDR5 de 16 Gb élaborées sur le processus 12 nanomètres, une première pour ce secteur. Ces dispositifs offrent un débit de 7,2 Gbit/s (DDR5-7200).
L’entreprise coréenne prétend que ces puces mémoire DDR5 de 16 Gb consomment jusqu’à 23 % moins d’énergie en moins que la précédente génération. Elles permettent aussi d’améliorer la productivité par wafer de 20 %. Selon Samsung, ce “saut technologique a été rendu possible grâce à l’utilisation d’un nouveau matériau high-κ qui augmente la capacité des cellules, et d’une technologie de conception exclusive qui améliore les caractéristiques critiques des circuits”. Ces améliorations, combinées à la lithographie avancée multicouche à ultraviolets extrêmes (EUV), aboutissent à une DRAM présentant la densité la plus élevée du marché, et à un gain de 20 % de la productivité.
De la DRAM évaluée sur des plateformes AMD Zen
“Notre DRAM 12 nm sera un élément clé de l’adoption de la DRAM DDR5 sur le marché. Avec des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles, nous nous attendons à ce que notre nouvelle DRAM serve de base à des opérations plus durables dans des domaines tels que l’informatique de nouvelle génération, les centres de données et les systèmes axés sur l’IA” a déclaré Jooyoung Lee, vice-président exécutif de DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics.
Précisons que l’évaluation des produits a impliqué des plateformes AMD Zen. À ce sujet, Joe Macri, vice-président et directeur de la branche Compute and Graphics d’AMD, rapporte : “L’innovation nécessite souvent une collaboration étroite avec des partenaires industriels pour repousser les limites de la technologie. Nous sommes ravis de collaborer une fois de plus avec Samsung, en particulier pour le lancement de produits de mémoire DDR5 optimisés et validés sur les plates-formes “Zen””.
La production de masse doit débuter en 2023, sans plus de précisions.