Dans le cadre d’une présentation portant sur ses futures technologies de mémoire, Samsung a publié une diapositive mentionnant la GDDR7. Celle-ci promet une vitesse mémoire de 36 Gbit/s grâce à l’utilisation du code en ligne PAM 3 (pulse amplitude modulation – modulation d’impulsion en amplitude).
La GDDR6 actuelle utilise la modulation NRZ (non-return-to-zero) ou PAM 2. Les débits oscillent entre 14 Gbit/s et, théoriquement, 24 Gbit/s. Samsung n’a atteint ce débit que récemment, tandis que Micron a préféré miser sur la GDDR6X, synonyme de PAM4, pour proposer de 18 Gbit/s à 24 Gbit/s. Ce type de mémoire équipe les GeForce RTX 3000 haut de gamme et les GeForce RTX 4000.
Jusqu’à 1728 Go/s
Le code en ligne NRZ permet la transmission d’un bit par cycle. Le PAM4 autorise deux bits par cycle. Le PAM3 est un entre-deux, avec 3 bits sur 2 cycles. Samsung estime que la signalisation PAM3 est 25 % plus efficace que la signalisation NRZ, et que la GDDR7 sera donc 25 % plus économe en énergie. Par ailleurs, la signalisation PAM3 sera également utilisée par la norme Thunderbolt 80G.
La GDDR6 (Graphics Double Data Rate, version 6) est intégrée à des cartes graphiques depuis septembre 2018. Cette mémoire a logiquement succédé à la GDDR5, qui a fait ses débuts en juin 2008. La GDDR6 a permis de doubler le débit de données et de réduire la consommation d’environ 35 % grâce à sa tension de 1,35 V.
Avec 36 Gbit/s, la GDDR7 permettra de nouveau de doubler le débit. Si vous prenez un GPU avec un bus mémoire de 128 bits et de la GGDR7 cadencée à cette vitesse, vous obtenez une bande passante mémoire de 576 Go/s ; avec un bus mémoire de 256 bits, la bande passante atteint 1152 Go/s ; enfin, avec 384 bits, elle culmine à 1728 Go/s. L’actuelle GeForce RTX 4090, carte graphique la plus haut de gamme disponible, plafonne à 1008 Go/s pour ses 24 Go de mémoire GDDR6X cadencée à 10501 MHz (21 Gbit/s), grâce à un bus mémoire de 384 bits.