Samsung : la production de masse en 3 nm doit débuter dès ce trimestre

La feuille de route de Samsung prévoit du 3 nm cette année et du 2 nm à partir de 2025. En dépit des rumeurs évoquant des difficultés de production et des retards, Samsung a assuré, en fin de semaine dernière, lors de la présentation de ses résultats financiers du trimestre, que la production en volume basée sur le nœud 3GAE (3 nm-class gate all-around early) allait débuter au cours du trimestre.

L’entreprise coréenne a également indiqué que le rendement pour le 5 nm était désormais conforme à celui attendu ; Business Korea rapportait des problèmes avec ce nœud de gravure il y a de cela quelques mois. Enfin, concernant le 4 nm, Samsung a reconnu un retard sur le calendrier initial mais assure que les rendements sont maintenant stables.

Si Samsung initie une production en 3 nm dans les prochaines semaines, l’entreprise devancera TSMC de quelques mois. En effet, le fondeur taïwanais prévoit de graver en 3 nm d’ici la fin de l’année.

Samsung MBCFET

Le nœud 3GAE de Samsung Foundry utilise des transistors à effet de champ à grille enveloppante appelés GAAFET, acronyme de Gate All Around FET. Le nom officiel employé par Samsung est MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor).

Selon l’entreprise, ce nœud offre une augmentation de 30 % des performances, une réduction de 50 % de la consommation d’énergie et une densité de transistors jusqu’à 80 % supérieure par rapport au nœud 7 nm FinFET.

Dans un premier temps, Samsung Foundry devrait réserver son 3GAE à la division Samsung LSI ainsi qu’à quelques clients sélectionnés. Du côté des concepteurs de puces, le passage à une nouvelle structure de transistors nécessite de retravailler le design et d’utiliser de nouvelles IP.

Pour mentionner l’aspect financier, sachez que Samsung a déclaré avoir enregistré 77,78 trillions de wons de recettes et 14,12 trillions de wons de bénéfice d’exploitation au cours du premier trimestre, soit une augmentation de 19 % et de 50 %, respectivement, par rapport à l’année précédente.

Sources : TheElec, Tom’s Hardware US, Samsung