Fin mars, le DigiTimes indiquait que TSMC était en avance sur sa feuille de route pour le 4 nm et débuterait la production de masse au cours du quatrième trimestre 2021. Un communiqué officiel du fondeur confirme les progrès et annonce un début de la production de test dès le troisième trimestre ; auparavant, TSMC pensait atteindre cette phase le trimestre suivant.
Sur le papier, le 4 nm est plus une amélioration du 5 nm plutôt qu’un nouveau nœud de gravure important. À ce titre, il intègre la grande famille du N5, qui regroupe également le 5 nm « classique », le 5 nm+ (N5P), et conviendra à des produits initialement conçus en 5 nm. TSMC mentionne une amélioration des performances, de l’efficacité énergétique et la densité des transistors mais ne chiffre pas les gains escomptés.
Le 3 nm en 2022
Dans son communiqué, le fondeur taïwanais confirme aussi que la production de masse en 3 nm débutera au cours du second semestre 2022. Contrairement au 4 nm, le 3 nm représentera un véritable saut générationnel. Sans doute le dernier nœud basé sur des transistors FinFET, il améliore les performances de 15 % ou réduit la consommation de 30 % par rapport au N5 selon TSMC, et offre une densité logique 70 % supérieure.
Enfin, en ce qui concerne les produits qui bénéficieront de ces gravures, outre les puces d’Apple, il y aura les prochaines générations de Ryzen. L’architecture Zen 4 devrait impliquer un nœud de gravure en 5 nm ; l’architecture Zen 5, un nœud de gravure en 3 nm.