SK Hynix lance la production de masse de sa mémoire HBM2E

SK Hynix indique avoir lancé la production de masse de sa mémoire HBM2E. Présentée en août dernier, elle est annoncée plus rapide que celle de Samsung. Elle offre en effet une bande passante de 460 Go/s, en se basant sur une 1024 E/S avec une vitesse de transfert de 3,6 Gbit/s par broche, contre 410 Go/s pour la mémoire Flashbolt concurrente.

Afin de nous aider à concevoir ce que cela apporte en pratique, SK Hynix précise que sa DRAM peut ainsi transmettre 124 films Full HD (de 3,7 Go chacun) par seconde.

Technologie TSV

Comme on l’avait vu en août, cette mémoire combine huit puces par stack. La capacité maximale par module est de 16 Go. La firme a eu recours à la technologie TSV (Through Silicon Via) pour la communication verticale entre les die.

Dans son communiqué, la société a la bonne idée d’inclure quelques annotations qu’il n’est pas inutile de rappeler. Les voici donc retranscrites ci-dessous.

« HBM (High Bandwidth Memory )

• Produits avec mémoire haute performance et à large bande passante qui adoptent la technologie TSV pour accélérer considérablement la vitesse de traitement des données par rapport aux DRAM traditionnelles.

TSV (Through Silicon Via)

• Une technologie d’interconnexion qui relie les puces supérieures et inférieures par des milliers de petits trous sur la puce DRAM.
• Délivre des données, des commandes et des courants par des chemins en forme de colonnes qui pénètrent dans toute l’épaisseur du wafer grâce à l’empilement de plusieurs couches de DRAM sur une même puce.
• Jusqu’à 30 % de réduction de la taille et jusqu’à 50 % de réduction de la consommation d’énergie par rapport aux méthodes de conditionnement actuelles.

Normes pour la conversion de la vitesse du traitement des données

• 1 GB = 8 Gb
• 3,6 Gbps par broche avec 1024 entrées/sorties de données (E/S) = 3686,4 Gbit/s
• 3686,4 Gbit/s / 8 = 460,8 Go/s (Gb -> GB conversion) »