TSMC : le N3 offre une densité de 250 millions de transistors par mm

Le fondeur TSMC a lancé la production de de masse en 5 nm ce mois-ci. Mais l’entreprise taïwanaise ambitionne le 3 nm, également appelé N3, dès l’année prochaine pour la production à risque, tandis que la production de masse est prévue l’année suivante. On a déjà idée du nombre de transistors qu’une telle finesse de gravure autorise : 250 millions de transistors par mm².

À titre de comparaison, on a appris récemment que le N5P offre une densité de 171,3 millions de transistors par mm². Quant au N7, il se limite à 91,2 millions de transistors par mm².

Du 3 nm FinFET

Plus surprenant, TSMC envisage pour l’instant de rester au procédé FinFET pour le N3. Jusqu’à présent, la plupart des experts s’accordaient sur le fait que descendre sous le 5 nm nécessitait de passer à un nouveau type de transistors. Par exemple chez Samsung, le 3 nm, programmé pour 2022, est synonyme de GAAFET (Gate-All-Around). Quoi qu’il en soit, TSMC affirme que le N3 apportera une amélioration de 10 à 15 % de la fréquence et une réduction de la consommation de 25 à 30 %. Vous pouvez retrouver plus de détails sur WikiChip.