Des modules de 12 Go de RAM avec stockage flash intégré pour smartphones !

Samsung a annoncé lors du Samsung Tech Day 2019 le début de la production de masse de modules 12 Go en LPDDR4X. L’entreprise avait présenté ces produits destinés aux smartphones en mars dernier. Ces modules intègrent aussi de la mémoire flash NAND sur interface eUFS 3.0 haute performance.

La firme coréenne avait inauguré cette deuxième génération de mémoire LPDDR4X l’année dernière. Rappelons aussi que l’entreprise avait été la première à lancer un module 12 Gbit de LPDDR4 en 2015.

10 ou 12 Go

Cette solution uMCP (UFS-based multichip package) combine jusqu’à quatre puces LPDDR4X de 24 Gbit et de l’eUFS 3.0 dans un seul boîtier. Elle devrait ainsi permettre de dépasser la limite actuelle de 8 Go pour les smartphones. Cette mémoire LPDDR4X est capable de monter à 4266 Mbits/s et de délivrer une bande passante totale de 34,1 Go/s.

Samsung produit deux versions, une en 12 Go avec quatre puces 24 Gb (3 Go), une autre en 10 Go avec deux puces 24 Gb (3 Go) et deux de 16 Gb (2 Go).