Micron commence la production en série de sa DRAM en 1z nm

Micron annonce le lancement de la production en série de DRAM DDR4 de 16 Gb basée sur le procédé 1z nm. Cela correspond à une finesse de gravure comprise entre 10 et 14 nm. La firme devance donc Samsung, qui doit également commencer la production de masse de sa DDR4 1z nm au cours du semestre.

40 % de consommation énergétique en moins

Grâce au processus 1z nm, cette DDR4 de 16 Gb offre de nombreux avantages par rapport à celle en 1y (16 à 14 nm). Elle profite d’une densité plus importante, d’une légère augmentation des performances et d’un coût de production moindre. Sur le plan énergétique, elle consomme jusqu’à 40 % d’énergie en moins par rapport aux solutions DDR4 8 Gb de précédentes générations (à capacité équivalente). Cette mémoire 16 Gb se destine principalement aux centres de données.

Enfin, Micron indique également avoir commencé les expéditions de sa DRAM LPDDR4X 16 Gb à double débit de données dans des boîtiers UFS uMCP4. Grâce à sa petite taille et sa faible consommation, cette mémoire, également en 1z nm, est conçue pour les appareils mobiles. La société affirme qu’elle offre la plus faible consommation disponible actuellement sur le marché et qu’elle atteint une vitesse de 4266 MT/s. Micron propose huit configurations différentes de boîtiers UFS qui vont de 64 Go + 3 Go à 256 Go + 8 Go.

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