Samsung : mémoires Flashbolt HBM2E et DDR4 1z nm

Samsung a fait plusieurs annonces ces derniers jours. La première concerne une nouvelle mémoire HBM2E, qui augmente considérablement le débit par rapport à la HBM2. L’autre actualité concerne de la DDR4 1z nm.

Flashbolt succède à Aquabolt

Samsung a en effet dévoilé sa dernière génération de DRAM haute performance, la HBM2E. Le fabricant l’a nommée Flashbolt. Pas encore de HBM3 donc, même si les gains sont importants par rapport à Aquabolt. La HBM2 améliore la bande passante par broche de 33 %, passant de 2,4 Gbit/s à 3,2 Gbit/s. La capacité par matrice double également à 16 Go. Par conséquent, un ensemble Flashbolt avec un bus de 1024 bits offrira jusqu’à 410 Go/s de bande passante. Samsung n’a pas encore annoncé la production en série de cette nouvelle mémoire HBM2E, mais prévoit que sa Flashbolt accompagnera des GPU gravés en 7 nm.

DDR4 1z nm

L’entreprise a également annoncé avoir développé sa troisième génération de DDR4 8 Gb de « classe 10 nm ». Elle a en effet atteint une gravure 1z nm, soit un processus entre 10 et 14 nm. Cela, 16 mois seulement après le lancement de la production en série de la deuxième génération de DDR4 en 1y nm (15 nm). Samsung précise ne pas avoir eu recours à la technologie Extreme Ultra-Violet (EUV) pour y parvenir.

Avec sa DDR4 1z nm, le fabricant annonce une productivité 20 % supérieure à la version 1y nm. La production de masse doit débuter au cours du second semestre de cette année, pour une arrivée sur le marché en 2020.