Intel annonce sa MRAM prête pour une production massive

EETimes nous rapporte que la MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) d’Intel est prête pour une production à grande échelle. Développée depuis les années 90, la MRAM est une technologie de mémoire non volatile. Elle conserve l’information même hors tension. En effet, les données ne sont pas constituées de charges électriques, mais magnétiques. En 2017, Samsung en a intégrée dans certains de ses SoC.

10 ans à 200 °C !

La MRAM représente une candidate sérieuse pour une solution de mémoire universelle. Elle remplacerait à la fois les DRAM (mémoire volatile) et les mémoires flash NAND (non volatile). Tout d’abord, elle est plus facile à produire, ce qui signifie des taux de rendement plus élevés. Ensuite, elle permet d’obtenir des temps de stabilisation de 1 ns, meilleurs que les limites théoriques actuellement acceptées pour les DRAM. Quant aux vitesses d’écriture, elles sont bien plus élevées (jusqu’à des milliers de fois plus rapides) que la mémoire flash NAND.

Ligiong Wei, ingénieur chez Intel, nous indique que la MRAM actuelle de l’entreprise permet une rétention des données de 10 ans à 200 °C, et une endurance de plus de 10^6 cycles de commutation. En plus d’une grande endurance, la technologie a un taux de rendement binaire supérieur à 99,9 %. En ce qui concerne le processus de fabrication, certains parlent de 22 nm, d’autres de 14 nm édulcoré.

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