Samsung : une puce de 1 To de mémoire flash à 1 Go/s pour les smartphones

Samsung annonce la production en série du premier Universal Flash Storage (UFS) 2.1 d’un téraoctet. Cela intervient seulement quatre ans après le lancement de la première solution UFS de 128 Go.

Plus de capacité et plus de performances

D’une taille identique à la précédente version de 512 Go (11,5 mm x 13,0 mm), la solution UFS de 1 To empile 16 couches de mémoire flash V-NAND 512 Gb. Les performances sont également améliorées, avec une vitesse en lecture séquentielle pouvant atteindre 1000 Mo/s. La vitesse de lecture aléatoire augmente de 38 % par rapport à la version 512 Go, atteignant 58 000 IOPS. Samsung envisage d’étendre la production dans son usine coréenne de Pyeongtaek au cours du premier semestre 2019.