Samsung produit sa mémoire flash V-NAND 64 couches plus rapide

Alors que les derniers SSD Samsung utilisent encore sa mémoire flash 3D à 48 couches, le géant coréen annonce aujourd'hui la production en grand volume de sa V-NAND à 64 couches. La capacité théorique de ces puces de 4e génération peut monter à 512 Gbit par puce, mais pour le moment, le fabricant n'annonce que des dies de 256 Gbit.

Plus rapide, plus fiable

On ne devrait donc pas voir de hausse de capacité dans les SSD commercialisés tout de suite, mais la V-NAND apportera d'autres avantages. Elle est notamment plus rapide : le temps d'écriture d'une page est 1,5x plus court que sur la V-NAND 48 couches. En outre, elle fonctionne avec une tension de 2,5 V au lieu de 3,3 V, et permettra donc de belles baisses de consommation des SSD. Enfin, son endurance est - une fois n'est pas coutume - supérieure de 20 %.

Samsung prévoit que la V-NAND 64 couches représentera 50 % de sa production d'ici la fin de l'année. Espérons que d'ici les puces de 512 Gbit seront lancées ; on aimerait les tester ces hypothétiques SSD T5 de 4 To ou 860 EVO de 8 To !