Samsung produit plus de DDR3 40nm

Le constructeur Samsung Electronics, leader sur le marché de la mémoire DRAM, vient d’annoncer qu’il allait augmenter sa production de puces de mémoire DDR3 fabriquées via un procédé de gravure en 40 nm. Cette hausse de la production vient en réponse à la hausse de la demande de la part des fabricants de serveurs, en partie suite à l’introduction récente des Xeon 5600 d’Intel.

Les premières puces de mémoire DDR3 gravées en 40 nm sont sorties des usines du constructeur au début de l’année 2009. Affichant une consommation inférieure de 60% à celle des puces de mémoire équivalentes gravées en 60 nm, les puces DDR3 « 40 nm » de Samsung sont disponibles dans des capacités de 1 Gb, 2 Gb et 4 Gb. Elles sont utilisées pour fabriquer des barrettes de 1 Go, 2 Go, 4 Go, 8 Go, 16 Go et 32 Go de mémoire « registered ».

Reste à savoir si cette hausse de la production aura également pour conséquence une baisse du prix des barrettes de mémoire DDR3 classiques.