Samsung grave sa DDR3 en 40 nm

Le constructeur Samsung a récemment annoncé le lancement de la production de masse de puces de mémoire DDR3 de 2 Gb (256 Mo) gravées en 40 nm. Ces nouvelles puces demandent une tension de seulement 1,35V pour fonctionner, et affichent une bande passante de 1,6Gbps.

Ces puces devraient être utilisées par Samsung – et peut-être par d’autres constructeurs de barrettes de mémoire vive – pour concevoir des modules de mémoire DIMM et SODIMM classiques d’une capacité de 4 Go, mais également des barrettes de mémoire DDR3 registered (et donc destinées aux serveurs et stations de travail) d’une capacité allant de 4 Go à 16 Go.

Pour ce qui est des prix des barrettes en question : « Wait and see… »

Source : TechConnect