Une PRAM réfléchissante

Des chercheurs singapouriens de l’agence des sciences, des technologies et de la recherche (A*STAR), ont conçu une PRAM (Phase-Change RAM) aux propriétés étonnantes puisqu’elle est plus réfléchissante à l’état amorphe que cristalline et qu’au lieu de mesurer sa résistance électrique pour déterminer son bit, on utilise sa réflectivité.

Ils expliquent qu’en modifiant le rapport entre le fer et le tellure utilisé dans la RAM, il est possible de modifier ses propriétés. Néanmoins, jusqu’à présent, l’état cristallin était plus réfléchissant que l’état amorphe, quel que soit le rapport utilisé. La réflectivité devient aussi un élément qui permettrait de mesurer l’état du bit à l’aide d’un laser. Le changement d’état se produirait en une dizaine de nanosecondes, ce qui en fait une mémoire prometteuse qui va continuer à être étudiée en laboratoire.