Intel grave sa Flash en 20 nm, met 128 Gbit sur une puce

Micron et Intel viennent de franchir un nouveau cap dans la miniaturisation de la mémoire Flash : les deux partenaires lancent la production en masse de puces NAND en 20 nm. IMFT (Intel Micron Flash Techonlogy) produisait jusqu'à aujourd'hui en 25 nm. Cette nouvelle finesse autorise la production de puces de 128 Gbit, soit 16 Go.

Cette nouvelle génération inaugure aussi une structure de cellule mémoire plane. Selon IMFT, cette première dans l'industrie est une solution aux problèmes de fiabilité induit par la diminution de la taille des cellules Flash. La NAND Flash 20 nm d'IMFT offrirait ainsi les mêmes performances et la même fiabilité que la génération précédente, autrement dit la 25 nm. Les puces de 128 Gb sont également conformes au standard ONFI 3.0 et pourrait atteindre des vitesses de 333 MT/s (millions de transferts pas seconde). 

La production de masse des puces de 128 Gb ne débutera qu'au premier semestre 2012. Celle de puces de 64 Gb a déjà commencé.