Micron Clear NAND : la mémoire Flash qui corrige ses erreurs

Le producteur de mémoire Micron vient de présenter sa Clear NAND, une puce de mémoire Flash intégrant la correction d'erreur.

La complexité de la correction d'erreur croît en effet de manière exponentielle avec la finesse des puces comme le montre la courbe ci-contre. A 25 nm, la nouvelle finesse proposée par Micron, une cellule de supporte plus que 1000 à 3000 cycles d'effacement/écriture, alors que les cellules en 50 nm toléraient 10 000 cycles et celles en 34 tenaient encore 5000 cycles.

Une telle perte oblige à repenser le fonctionnement du contrôleur mémoire ce qui augmente les coûts et les délais de mise sur le marché. L'intégration de la correction d'erreur directement dans la puce mémoire pourra donc favoriser le développement de SSD et autres clés USB utilisant les dernières finesse de gravure.

La clear NAND existera en deux versions, standard et enhanced, la seconde offrant des capacités et débits nettement supérieurs (de 16 à 64 Go contre de 8 à 32 Go et 200 Mo/s contre 50 Mo/s). Micron continuera aussi de livrer de la mémoire Flash "brute" classique.

La Clear NAND n'est cependant qu'un pis-aller face à la dégradation des caractéristiques de la mémoire Flash. Micron reconnaît d'ailleurs que cette technologie heurtera un mur franchissable à l'horizon 2015. Augmenter la densité passera alors par des techniques d'empilement 3D encore à mettre au point. D'ici là, les autres mémoires non volatiles (FeRAM, MRAM, PRAM) seront peut-être parvenues à maturité.